대형-메시 셀-투영 전자빔 리소그래피

Large-mesh cell-projection electron-beam lithography method

Abstract

본 발명은 셀 투영 리소그래피 방법에 관한 것이며, 구체적으로, 직접-쓰기 전자빔 리소그래피에 관한 것이다. 이러한 유형의 종래 방법의 주요 한계들 중 하나가 쓰기 시간이다. 이러한 한계를 극복하기 위해, 본 발명의 방법에 따라, 셀의 크기가 리소그래피 장치의 최대 구경에 맞도록 증가한다. 기판에 가장 가까운 투영 공판 레벨의 구경의 크기를 수정함으로써, 이러한 크기 증가가 얻어지는 것이 바람직하다. 공정 에너지 래티튜드를 최적화하도록 계산된 선량이 복사되는 스트립이 식각될 블록의 외부에 추가되는 것이 바람직하다. 이 스트립은 식각될 블록의 가장자리로부터 이격되어 있는 것이 바람직하다. 바람직하게도 투영되는 셀들은 서로 접하지 않는다.

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Patent Citations (2)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    US-2002162088-A1October 31, 2002Kabushiki Kaisha ToshibaCharged particle beam exposure system using aperture mask in semiconductor manufacture
    US-2008203324-A1August 28, 2008Cadence Design Systems, Inc.Method and system for improvement of dose correction for particle beam writers

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