SiC 기판의 제조방법

METHOD FOR PRODUCING SiC SUBSTRATE

Abstract

개선된 CMP 공정을 통해 스크래치와 같은 기계적 결함을 줄이고 표면 조도를 향상시켜 후공정에서의 불량률을 최소화할 수 있도록, 기판에 화학적 기계적 연마인 CMP 공정을 수행하기 전에 기판 표면에 산화막이 형성되도록 하는 기판의 광학 연마단계(S1); 상기 기판에 대하여 CMP 공정을 수행함으로써 기판의 산화막을 제거하는 기판의 산화막 제거단계(S2); 상기 CMP 공정을 수행하기 위한 연마장치의 세라믹 플레이트에 기판의 부착방향을 조절할 수 있도록 결정 방향이 설정된 하나 이상의 기판을 부착시켜 CMP 가공을 통해 기판을 연마하는 기판의 결정 방향 설정 후 연마단계(S3); 및 상기 CMP 공정이 끝난 후 상기 세라믹 플레이트에서 기판을 분리한 다음, 기판 표면의 불순물들을 제거하기 위해 습식 세정하는 기판 세정단계(S4);를 포함하는 SiC 기판의 제조방법을 제공한다.

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (2)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2006093666-AApril 06, 2006Matsushita Electric Ind Co Ltd, 松下電器産業株式会社Method for grinding silicon carbide crystal substrate
    JP-2011003769-AJanuary 06, 2011Panasonic Corp, パナソニック株式会社METHOD OF MANUFACTURING SiC SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle